| 产品特性：双N MOS | 品牌：APM | 型号：AP50H04DF |
| 封装：PDFN3*3-8L | 批号：2024+ | FET类型：N+N |
| 漏源电压（Vdss）：40V | 漏极电流(Id)：52A | 漏源导通电阻(RDS On)：6.9MR |
| 栅源电压(Vgs)：20V | 栅极电荷(Qg)：5.8 | 工作温度范围：-55TO150 |
| 应用领域：3C数码 |
深圳市强芯微科技有限公司是一家集代理，研发，技术支持，认证服务的主流电源芯片方案代理商。主流推广芯片基本具备KK级别现货供应。 提供电源方案设计，技术支持，EMI认证等配套服务。联系人曾小五 15814078201.
AP50H04DF采用***的APM-SGT V技术，提供***的RDS（ON）、低栅电荷和栅电压低至4.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。
